Vishay推出新款850 nm红外发射器

Vishay推出新款850 nm红外发射器

2014年02月20日 10:02    eechina
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关键词： 红外发射器

尺寸为3.85mm x 3.85mm x 2.24mm的器件采用顶视SMD封装，在1A下的发光强度为350mW/sr，光功率达660mW，热阻低至10K/W Vishay发布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm顶视SMD封装的新款850nm红外发射器--- VSMY98545，扩大其光电子产品组合。VSMY98545基于SuRFLight表面发射器芯片技术，集成镜片，具有高驱动电流、高发光强度和高光功率，同时具有低热阻。 VSMY98545使用42mil x 42mil发射器芯片，结到管脚的热阻为10K/W，驱动电流高达1A，脉冲电流可达5A。发射器集成的镜片支持±45°的半强角，在1A和5A(脉冲)电流下可实现350mW/sr和1600mW/sr的超高发光强度，超过无镜片器件的发光强度两倍以上。 由于具有极高的驱动电流，并且在1A下的光功率达660mW，VSMY98545可以替代多个标准SMD器件，使设计者能够减少元器件数量，并在各种各样的应用中提高性能。发射器适用于CCTV、游戏和公路收费系统中的红外照明，以及长距离的测距应用，比如通过探测周围是否有人，来实现办公设备里的唤醒功能。 今天推出的器件的开关速度低至15ns，在1A下的正向压降为1.8V，工作温度从-40℃到+95℃。VSMY98545的仓储寿命为168小时，潮湿敏感度等级(MSL)为3，符合J-STD-020。器件可采用无铅回流焊，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。 新的VSMY98545现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。

看资料，好牛逼啊，不知道实体运用如何啊